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918博彩天堂盘点2012年LED照明技能十大关键字

来源:http://www.seamec2009.com 责任编辑:博天堂官网 2017-12-13 00:13

  盘点2012年LED照明技能十大关键字

关键字一:OLED

  

OLED(Organic Light-emitting Diodes),中文名称为有机发光二极管,是根据有机半导体材料的发光二极管。OLED由于具有全固态、主动发光、高比照、超薄、低功耗、无视角约束、呼应速度快、工作温度规模宽、易于完成柔性和大面积、918博彩天堂盘点2012功耗低一级许多长处。现在OLED已在手机终端等小尺度显现范畴得到使用,在大尺度电视和照明范畴的开展潜力也得到业界的认可。OLED现已被视为21世纪最具出路的显现和照明产品之一。

  

而OLED,正是从2012年正式登上了照明的舞台,尽管现在仅仅一个小角色,年LED照明技能十大关键字可是对LED有不小的代替要挟。

  

在4月的法兰克福展上, Philips初次展示出最新OLED技能的Lumiblade OLED GL350 面板,每片GL 350 OLED面板尺度约155平方公分,亮度可达115LM。

  

  

图片来历:LEDinside

  

而在2012年5月8日-11日的美国拉斯维加斯照明展上,Philips再次展出了一个OLED镜子的产品,它会主动感应人体的挨近与否,主动把周围的OLED光源模组做调整,中心变暗变成具有镜子的作用。成功的将才智灯具和OLED的概念整合在一起。

  



图片来历:LEDinside

  

作为全球照明商场领导品牌的Philips,押宝OLED的意味十分显着。

  

可是,OLED使用于照明范畴,光效却是一个不小的检测。在显现范畴OLED亮度到达100~300cd/cm?就能够得到使用,但是在照明用途中,亮度至少要到达1000~3000cd/cm?。未来几年,OLED与LED在照明范畴的此消彼长的速率,将取决于OLED光效追逐的进展。

  

关键字二:PSS

  

PSS(Patterned Sapphire Substrate),也就是在蓝宝石衬底上成长干法刻蚀用掩膜,用规范的光刻制程将掩膜刻出图形,使用ICP刻蚀技能刻蚀蓝宝石,并去掉掩膜,再在其上成长GaN材料,使GaN材料的纵向开展变为横向。一方面能够有用削减GaN外延材料的位元错密度,然后减小有源区的非辐射复合,进步内量子功率,减小反向漏电流,进步LED的寿数;另一方面有源区宣布的光,经GaN和蓝宝石衬底接口屡次散射,改变了全反射光的出射角,增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率,然后进步了光的提取功率。

  

  

图片来历:LEDinside

  

因而,PSS一时间成为外延厂商争相选用的进步亮度的干流技能,敏捷的普及化,到2012年下半年PSS现已占到了全世界LED用蓝宝石基板的近多半。

  

而上半年的时分,蓝宝石衬底平片价格跌入低谷,衬底厂商遍及的堕入亏本。而PSS由于商场需求微弱,一时间商场价格超越平片2倍以上,招引蓝宝石基板厂加码布置,希望以此打破营收亏本的窘境。但是跟着新增产能逐步投入使用,PSS价格下降的速度也是惊人之快。

  



材料来历:LEDinside

  

而一些大厂此刻现已考虑选用更为先进的nPSS技能,nPSS的pitch不到1um,亮度能比PSS再进步3%到10%。而压印要比蚀刻的本钱更低出1美金以上,稳定性及一致性体现也要好。等待靠PSS来解救颓势的衬底厂恐怕又一非必须绝望,不过技能进步的途径谁又能猜得到?

  

关键字三:非蓝宝石衬底

  

除开CREE成功的商业化SiC衬底之外,人们现已习惯了衬底材料就是蓝宝石了。不过来到2012年,非蓝宝石衬底计划第一次对蓝宝石衬底的位置发起了有要挟的应战。

  

最有要挟的应战无疑来自硅衬底,2012年1月12日,欧司朗宣扬在150mm的硅片上成功长出GaN的外延,切成1mm?在350mA下亮度能够到达140lm,该项目是德国联邦教育和研讨部赞助的“硅上氮化镓”专案的一部分。

  

而东芝的动作就更快一步,2012年12月中,本来并不进入封装的东芝直接开卖LED,而芯片正是选用与美国普瑞(BridgELux)协作的在8吋硅基板上成长的LED芯片.东芝共发布了四款现行产品的规格书,包含一款色温3000K,一款色温4000K及两款色温5000K的LED产品。其间在典型正向电压为2.9V时,350mA驱动色温5000K,显色指数为70的型号为TL1F1-NW0的LED,光效到达110lm/W。

  

  

图片来历:OSRAM

  

  

图片来历:TOSHIBA

  

我国厂商晶能光电通过多年在硅衬底范畴的耕耘,在2012年推出的发光功率超越120lm/W硅基大功率LED芯片产品,这对巴望自主知识产权的国产芯片是一个极大的利好音讯。

  

在我国工信部发布的2012年第十二届资讯工业严重技能创造评选成果中,晶能光电(江西)有限公司《硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技能》专案被评为资讯工业严重技能创造,并归入《电子资讯工业开展基金专案攻略》,享用国家电子资讯工业开展基金专案资金扶持。

  

而GaN基同质外延也并不示弱,在2012年7月3日,首尔半导体全球初次发布了“npola”,单颗亮度到达500lm,中村修二博士专程去首尔去为发布会站台。日本LED照明新标准将而中村博士参加兴办的SORAA公司更是以前瞻性的GaN-on-GaN LED技能获得了美国DOE部属的动力变换组织ARPA-E(Advanced Research Projects Agency - Energy)的赞助。

  

而CREE在所谓SC?这种新一代技能平台下,接连推出多款改写业界光效的量产LED产品,12月更推出XLamp系列MK-R在1W和25°C温度的条件下,918博彩天堂。可提供高达200 lm/W的发光功率。再次提振SiC衬底LED在光效比赛中归纳实力排头位置。

  

非蓝宝石衬底计划,不仅仅是一次次为工业界所一起重视,各国政府也都将之作为重要的基础研讨而归入方针视界,当选十大天经地义。

  



材料来历:Seoul Semiconductor

  

 

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